近日，美 国再次发布对 华半导体出 口管 制措施，而中国多家行业协会开始呼吁中企审 慎采购美 国芯片。在国产化叠加政策支持背景下，高端射频芯片的替换环境日趋成熟。与此同时，智能电动汽车以及智能可穿戴设备、智能家居等新兴消费电子产品快速发展，也对射频芯片提出了旺盛需求。

左蓝微电子此次推出基于PESAW工艺的1612尺寸(1.6x1.2x0.6mm)Band20TX+20/28RX和Band28F两款高性能、小尺寸双工器，是移动通信领域的重要补充，非常适合智能手机、平板电脑、微基站等应用场景，能够为日渐小型化的终端客户设计提供更灵活的选择，确保终端整体更加紧凑。

高性能1612 Band20TX+20/28RX双工器

PESAW高性能1612 Band20TX+20/28RX双工器具有优异的带内带外性能，TX带内插损典型值仅有0.9dB，RX带内插损典型值为1.2dB（国外主流厂商该频段产品TX和RX插损典型值一般在1.4dB和1.8dB），在TX频率段和RX频率段的隔离度典型值都达到58dB，TX的二倍频抑制更是达到65dB，输入功率达到30dBm@5000h，55℃。

高性能1612 Band28F双工器

PESAW高性能1612 Band28F双工器TX带内插损典型值1.2dB，RX带内插损典型值仅有1.1dB（国外主流厂商该频段产品TX和RX插损典型值一般在1.5dB），在TX频率段和RX频率段的隔离度典型值分别为59dB和57dB，TX的二倍频抑制达到37dB，输入功率达到30dBm@5000h，55℃。

此次发布的上述两款高性能、小尺寸双工器综合性能表现出色，各项指标皆可比肩国际一流产品。

近年来，我国5G技术及信号覆盖速度处于全球领先地位，5G和物联网技术的发展让射频器件的需求更具多样化与挑战性。左蓝微电子致力于通过技术创新帮助终端设备制造商突破射频性能的瓶颈，同时降低整体解决方案的功耗与成本。这两款双工器的发布，是左蓝微电子在射频滤波器领域持续创新的又一力证。

此次两款高性能、小尺寸双工器的推出，不仅进一步巩固了左蓝微电子在射频滤波器领域的技术领先地位，同时也为行业合作伙伴提供了更加灵活、可靠的解决方案，助力移动通信与物联网生态的高质量发展。

在过去几年里，“国产替代”已经成为一个高频词汇。此次行业协会呼吁中 国企业谨 慎选择美 国芯片，本质上更是呼吁中国企业加强芯片技术自研和突破。左蓝微电子也将持续加大研发投入，与高校及产业链伙伴深度合作，共同推进射频技术的国产化进程。

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